Journées Nationales Nanofils 2026 (J2N 2026)

Les Journées Nationales Nanofils 2026 (J2N 2026) seront organisées par l'Institut Pascal (IP) à Clermont-Ferrand du mercredi 30 septembre au vendredi 2 octobre 2026.

Les J2N rassemblent la communauté scientifique travaillant sur les nanofils de matériaux semi-conducteurs, principalement mais non exclusivement.

Pour cette édition 2026, les J2N seront élargies à l’axe Fonctionnalisation du GDR MATEPI ainsi qu’à l’axe Nanomatériaux/Nanofils du GDR NAME.

L’objectif est de proposer un panorama des activités nationales de recherche portant sur la croissance cristalline et la structuration des nanofils, leur caractérisation avancée ainsi que leur intégration dans des dispositifs destinés à l’ensemble des domaines d’application possibles.

Nous conserverons le format des précédentes éditions des J2N, avec quatre demi-journées de conférences :

• Mercredi 30 septembre 2026 – après-midi (à partir de 14h00)
• Jeudi 1er octobre 2026 – journée complète
• Vendredi 2 octobre 2026 – matinée (fin prévue vers 13h30)

Nous vous invitons à réserver dès à présent ces dates dans vos agendas si vous souhaitez participer à cette édition.

Les inscriptions sont ouvertes via le lien suivant.

Dates importantes

• Ouverture des inscriptions : 8 juin 2026
• Fermeture des inscriptions : 8 juillet 2026

Les inscriptions sont désormais ouvertes ! Inscription J2N2026 

Les frais d’inscription comprennent le dîner de conférence du jeudi soir, les déjeuners du jeudi et du vendredi, les pauses-café ainsi que le recueil des résumés (ou sa version électronique).

Soumission des résumés

• Ouverture de la soumission des résumés : 15 mai 2026
• Date limite de soumission des résumés :  12 juillet 2026
• Notification d’acceptation : 20 juillet 2026

Conférenciers invités

Geoffrey AVIT (Institut Pascal)
Croissance rapide, contrôle fin : avancées et opportunités de l’épitaxie HVPE des nanofils semi-conducteurs III–V

Daniel Bellet (LMGP)
Science et applications des réseaux de nanofils métalliques : bref état de l’art

Benjamin Damilano (CHREA)
Nanofils de GaN/InGaN de type top-down pour nanolasers et émetteurs quantiques

Ludovic Desplanque (IEMN)
Croissance sélective de nanofils planaires semi-conducteurs III–V pour l’électronique quantique

Noelle Gogneau (C2N)
Croissance et caractérisation des nanofils InGaN/GaN pour les applications LEDs, Sources de photons uniques et Photocatalyse

Moïra Hocevar (Institu Néel)
Combiner des matériaux de différentes familles de semiconducteurs pour les technologies quantiques: le cas des nanofils ZnTe-InAs

Charles Renard (C2N)
Croissance d’hétérostructures de nanofils du groupe IV en phase hexagonale sur substrats massifs hexagonaux

Lionel Santinacci (CINAM)
Atomic Layer Deposition: une clé pour des nanostructures 1D fonctionnelles en photoélectrolyse